Failure Analysis of Ceramic Substrates Used in High Power IGBT Modules
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
analysis of power in the network society
اندیشمندان و صاحب نظران علوم اجتماعی بر این باورند که مرحله تازه ای در تاریخ جوامع بشری اغاز شده است. ویژگیهای این جامعه نو را می توان پدیده هایی از جمله اقتصاد اطلاعاتی جهانی ، هندسه متغیر شبکه ای، فرهنگ مجاز واقعی ، توسعه حیرت انگیز فناوری های دیجیتال، خدمات پیوسته و نیز فشردگی زمان و مکان برشمرد. از سوی دیگر قدرت به عنوان موضوع اصلی علم سیاست جایگاه مهمی در روابط انسانی دارد، قدرت و بازتولید...
15 صفحه اولHigh Frequency Behavior of High Power IGBT Modules
Sharp voltage gradients act as a stimulus for high power IGBT modules, which can exhibit a potentially instable high frequency behaviour. In effect, they can act as a radio frequency (RF) amplifier and under certain operating conditions the interaction between the device and the control or the external circuit can cause self-sustaining oscillations or the enhancement of the unevenness in curren...
متن کاملCurrent Sharing and Redistribution in High Power IGBT Modules
The Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is now the favoured power semiconductor device for most medium power applications. One major difficulty with current IGBT manufacturing technologies is the inability to produce chips rated at more than 100 amps both reliably and cost-effectively. To achieve higher current ratings, a number of chips are connected in parallel to form a module; up to 32...
متن کاملemittance control in high power linacs
چکیده این پایان نامه به بررسی اثر سیم پیچ مغناطیسی و کاوه یِ خوشه گر با بسامد رادیویی بر هاله و بیرونگراییِ باریکه هایِ پیوسته و خوشه ایِ ذرات باردار در شتابدهنده های خطیِ یونی، پروتونی با جریان بالا می پردازد و راه حل هایی برای بهینه نگهداشتن این کمیتها ارایه می دهد. بیرونگرایی یکی از کمیتهای اساسی باریکه هایِ ذرات باردار در شتابدهنده ها است که تاثیر قابل توجهی بر قیمت، هزینه و کاراییِ هر شتابدهند...
New Compact Igbt Modules
A new family of compact IGBT modules has been developed to bridge the gap between fully integrated IPM devices and basic IGBT modules. The idea of this new family was to give the designer the dynamic control offered by conventional IGBT modules while maintaining the reliability provided by integrated current and temperature sensing. The result is a new family of dual (half-bridge) modules with ...
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Engineering
سال: 2016
ISSN: 1947-3931,1947-394X
DOI: 10.4236/eng.2016.89052